EP4CGX110DF27C7 vs EP4CGX110DF27I8N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP4CGX110DF27C7 بواسطة Intel و EP4CGX110DF27I8N بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | EP4CGX110DF27C7 | EP4CGX110DF27I8N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Intel | Intel |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Series | Cyclone IV GX | — |
| Logic Elements (LE) | 109,424 | — |
| Embedded Memory Bits | 5,621,760 | — |
| Maximum User I/O | 393 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| Transceiver Channels | 8 | 8 |
| Transceiver Data Rate (max) | 3.125 Gbps | — |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Speed Grade | C7 | 8 |
| درجة حرارة التشغيل | 0 C to +85 C (Commercial) | — |
| العلبة | 672-ball FBGA (F27), 27 mm | 672-pin FBGA (F27) |
| Process Node | 60 nm low-power | — |
| Configuration Methods | AS, PS, FPP, JTAG | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Family | — | Cyclone IV GX |
| Logic Elements | — | 109,424 |
| Process Technology | — | 60 nm low-k |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Embedded Memory (RAM) | — | 4,608 Kbits |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 280 |
| Maximum User I/O Pins | — | 433 |
| User I/O Banks | — | 8 |
| Transceiver Data Rate | — | 600 Mbps to 3.125 Gbps |
| Hard IP | — | PCI Express Gen1 (x1/x2) |
| Operating Temperature Grade | — | Industrial (-40C to +100C) |
| نوع التركيب | — | Surface Mount (BGA) |