EP4CGX110DF27C7 vs EP4CGX110DF27I8N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CGX110DF27C7 द्वारा Intel और EP4CGX110DF27I8N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CGX110DF27C7 | EP4CGX110DF27I8N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Series | Cyclone IV GX | — |
| Logic Elements (LE) | 109,424 | — |
| Embedded Memory Bits | 5,621,760 | — |
| Maximum User I/O | 393 | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| Transceiver Channels | 8 | 8 |
| Transceiver Data Rate (max) | 3.125 Gbps | — |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Speed Grade | C7 | 8 |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C (Commercial) | — |
| पैकेज | 672-ball FBGA (F27), 27 mm | 672-pin FBGA (F27) |
| Process Node | 60 nm low-power | — |
| Configuration Methods | AS, PS, FPP, JTAG | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Family | — | Cyclone IV GX |
| Logic Elements | — | 109,424 |
| Process Technology | — | 60 nm low-k |
| Core Voltage | — | 1.2 V |
| Embedded Memory (RAM) | — | 4,608 Kbits |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 280 |
| Maximum User I/O Pins | — | 433 |
| User I/O Banks | — | 8 |
| Transceiver Data Rate | — | 600 Mbps to 3.125 Gbps |
| Hard IP | — | PCI Express Gen1 (x1/x2) |
| Operating Temperature Grade | — | Industrial (-40C to +100C) |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount (BGA) |