H58G56AK6QX032 vs H58G66CK8BX147N مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H58G56AK6QX032 بواسطة SK hynix و H58G66CK8BX147N بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H58G56AK6QX032 | H58G66CK8BX147N |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | LPDDR5 SDRAM (DRAM) | LPDDR5X SDRAM |
| Density | 32 Gbit (4 GB) | 64 Gbit (8 GB) |
| التنظيم | 512M x64 | x8 (single channel) |
| معدل البيانات | 6400 Mbps/pin | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.05 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 0.5 V | — |
| Interface Supply (VDD2) | 1.8 V | — |
| Bus Width | 64-bit (x64) | — |
| Peak Bandwidth (per device) | 51.2 GB/s | — |
| Grade | Automotive | — |
| العلبة | 315-ball FBGA | 315-ball FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Generation | LPDDR5 (JEDEC LPDDR5 standard) | — |
| Application Domain | Automotive / Industrial / Computing | Smartphone, AI edge, server-class mobile computing |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: Moisture Sensitivity Level] | — |
| Maximum Data Rate | — | 8533 Mbps |
| Supply Voltage Domain | — | 0.5 V to 1.8 V |
| Core Voltage Class | — | 1.05 V (LPDDR5/LPDDR5X class) |
| Standard Compliance | — | JEDEC-compliant single-channel SDRAM (per SK hynix 315-ball FBGA specification) |
| الواجهة | — | LPDDR5/LPDDR5X protocol |
| Channel Configuration | — | Single channel (x8 or x16 capable family) |
| Power Management | — | Dynamic voltage and frequency scaling (DVFSC/DVFSQ) |
| Refresh Scheme | — | LPDDR5 per-bank / all-bank refresh |