H5AN4G6NBJR-PBC vs H5ANAG6NBJR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G6NBJR-PBC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NBJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G6NBJR-PBC | H5ANAG6NBJR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 4 Gbit | — |
| التنظيم | 256M x 16 (268435456 words x 16 bits) | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| الواجهة | DDR4 (double data rate, synchronous) | DDR4 (CMOS) |
| Package Code | TFBGA | — |
| العلبة | FBGA-96 (PBGA96), rectangular | PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA) |
| Number of Terminals | 96 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | — |
| الميزات | Auto self-refresh, data mask, asynchronous reset, dynamic ODT, ZQ calibration, write leveling, CRC | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: temperature range for -C grade] | -40C to +95C |
| Data Rate / Speed Grade | [DATA_NEEDED: speed grade PBC data rate] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Process | CMOS | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per family datasheet, Lead-Free & Halogen-Free) | — |
| Temperature Grade | OTHER (per distributor listing) | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Package Dimensions | — | 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96) |
| Access Mode | — | Multi Bank, Page Burst |
| Refresh | — | Auto / Self Refresh |
| Data Mask | — | Supported (DM function) |
| Asynchronous Reset | — | Supported |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Supported |
| Write Leveling | — | Supported |
| CRC | — | Supported |
| Supply Voltage Class | — | DDR4 (1.2 V class) |
| حالة RoHS | — | RoHS Compliant |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| HTS Code | — | 8542.32.00.36 |
| Max Data Rate | — | [DATA_NEEDED: Max Data Rate] |