H5AN4G8NBJR-UHCR vs H5AN4G8NBJR-UHC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-UHCR بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ نشط
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHC H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM 2400, 1.2V | SK Hynix

H5AN4G8NBJR-UHC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gbit
التنظيم 512M x 8 512M x 8
Speed Grade UH (DDR4-2400 class, PC2400) —
جهد التغذية 1.2 V (VDD) 1.2 V
الواجهة DDR4 SSTL12 DDR4 (JEDEC)
Internal Prefetch 8n —
العلبة 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm) TFBGA-78 (11 x 7.5 mm)
نوع التركيب Surface Mount (BGA solder-down) Surface Mount
Operating Case Temperature -40C to +85C (industrial range) —
Extended Temperature Range Up to +95C case temperature (per datasheet conditions) —
Lead Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
حالة RoHS Compliant Compliant (Rohs Code: Yes)
Packaging Suffix -R = Tape and Reel —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification] [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support]
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CL value for UH grade] [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin]
معدل البيانات — 2400 Mbps (PC2400)
Technology — CMOS DRAM
Lifecycle Code — Active
REACH Compliance — Compliant
Manufacturer — SK Hynix Inc.
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر