H5AN4G8NBJR-VKI vs H5AN4G8NBJR-UHCR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-VKI بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-UHCR بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI - 4Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK hynix

H5AN4G8NBJR-VKI ✓ نشط
SK hynix
H5AN4G8NBJR-UHCR H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR - 4Gb DDR4 SDRAM 2400 | SK hynix

H5AN4G8NBJR-UHCR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN4G8NBJR-VKI H5AN4G8NBJR-UHCR
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gb 4 Gbit
التنظيم 512M x 8 512M x 8
معدل البيانات 2666 Mbps —
جهد التغذية 1.2 V 1.2 V (VDD)
I/O Voltage 1.2 V (SSTL12) —
العلبة FBGA-78 78-ball FBGA (11 mm x 7.5 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (BGA solder-down)
Speed Grade V (2666) UH (DDR4-2400 class, PC2400)
Temperature Grade Industrial (I suffix) —
Architecture CMOS, 8n prefetch, bank groups —
Termination On-Die Termination (ODT) —
DBI Support Yes (Data Bus Inversion / DM) —
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CL value for UH grade]
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating Temperature] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x specification]
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
الواجهة — DDR4 SSTL12
Internal Prefetch — 8n
Operating Case Temperature — -40C to +85C (industrial range)
Extended Temperature Range — Up to +95C case temperature (per datasheet conditions)
Lead Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes
Packaging Suffix — -R = Tape and Reel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر