H5AN4G8NBJR-VKIR vs H5AN4G8NBJR-VKC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN4G8NBJR-VKIR بواسطة SK hynix و H5AN4G8NBJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN4G8NBJR-VKIR | H5AN4G8NBJR-VKC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 8 | — |
| معدل البيانات | 2666 Mbps per pin | 2666 Mbps (DDR4-2666) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| العلبة | 78-ball FBGA | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (Industrial) | -40C to +85C (case) | — |
| Extended Temperature Range | +85C to +95C (case, per datasheet conditions) | — |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS DRAM |
| Product Family | H5AN4G4/6/8NBJR series | — |
| Speed Grade Code | -VKI | — |
| Packing Suffix | R (Tape & Reel) | — |
| VPP Supply | [DATA_NEEDED: VPP supply voltage] | — |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh interval specification] | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| حجم الذاكرة | — | 4 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x8 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Volatile / Non-Volatile | — | Volatile |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| حالة RoHS | — | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) |
| Packaging | — | Tray |
| حالة دورة الحياة | — | Active |