H5AN8G4NAFR-PBC vs H5AN8G8NAFR-PBC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G4NAFR-PBC بواسطة SK hynix و H5AN8G8NAFR-PBC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ نشط
SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة DRAM DRAM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
التنظيم 2Gb x 4 1G x 8
Interface Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V +/- 0.06 V —
Wordline Pump Voltage (VPP) 2.5 V (+0.25/-0.125 V) —
Speed Bins (per datasheet) DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) —
Bank Groups 4 (BG0-BG1) —
Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Row Address A0-A16 (17 bits) —
العلبة 78-ball FBGA FBGA-78
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (RoHS Compliant per datasheet) —
حالة RoHS Compliant Compliant
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] —
Geardown Mode Note DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled —
جهد التغذية — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
الواجهة — DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Process Technology — CMOS
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر