H5AN8G4NAFR-PBC vs H5AN8G8NAFR-PBC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G4NAFR-PBC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NAFR-PBC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-PBC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN8G4NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी DRAM DRAM
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
संगठन 2Gb x 4 1G x 8
Interface Voltage (VDD/VDDQ) 1.2 V +/- 0.06 V —
Wordline Pump Voltage (VPP) 2.5 V (+0.25/-0.125 V) —
Speed Bins (per datasheet) DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) —
Bank Groups 4 (BG0-BG1) —
Banks 16 (4 bank groups x 4 banks) —
Row Address A0-A16 (17 bits) —
पैकेज 78-ball FBGA FBGA-78
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology CMOS —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (RoHS Compliant per datasheet) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] —
Geardown Mode Note DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled —
सप्लाई वोल्टेज — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — [DATA_NEEDED: speed grade / data rate]
इंटरफ़ेस — DDR4 (double data rate, synchronized to clock)
Address Inputs — A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed)
Connectivity Test Mode — TEN (optional input on x4/x8, required on x16)
Process Technology — CMOS
Lead-Free — Yes
हैलोजन फ्री — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / July 2017
ऑपरेटिंग तापमान — [DATA_NEEDED: operating temperature range]

डेटाशीट और संसाधन

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