H5AN8G6NAFR-PBC vs H5AN8G6NCJR-VKC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NAFR-PBC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NCJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NAFR-PBC | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| VDD Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.20 V +/- 0.06 V | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V +0.25/-0.125 V | — |
| نوع الواجهة | DDR4 (parallel, double data rate) | — |
| Speed Bins Supported | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) | — |
| Refresh | Auto / Self Refresh | — |
| DLL | DLL ON mode for speed bin operation | — |
| Clock | Differential clock (CK/CK#) | — |
| العلبة | TFBGA-96 (rectangular) | FBGA-96 |
| Number of Terminals | 96 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| حالة RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Composition | CMOS | — |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| معدل البيانات | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Clock Frequency | — | 1.333 GHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.14 V to 1.26 V |
| الواجهة | — | Parallel |
| Standby Current | — | 28 mA |
| Operating Current | — | 45 mA |
| الميزات | — | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (per datasheet description) |
| حالة دورة الحياة | — | Active |