H5AN8G6NAFR-RDC vs H5AN8G6NCJR-PBC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NAFR-RDC بواسطة SK hynix و H5AN8G6NCJR-PBC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NAFR-RDC | H5AN8G6NCJR-PBC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gb | — |
| التنظيم | 512M x 16 | — |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC-standard) | Parallel, synchronous to both clock edges |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| Package Code | TFBGA | — |
| Package Shape | Rectangular | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | OTHER (per Partstack listing) | — |
| Technology | CMOS | — |
| حالة RoHS | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) | Compliant |
| Speed Grade | -RDC (see datasheet for bin timing) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC | — |
| Max Clock Rate | [DATA_NEEDED: max clock rate for -RDC bin] | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| Memory Organization | — | 8Gb x16 (512M x 16) |
| حجم الذاكرة | — | 8 Gbit |
| معدل البيانات | — | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] |
| Family Data Rate Range | — | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| العلبة | — | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) |