H5AN8G6NDJR vs H5AN8G6NCJR-XXC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NDJR بواسطة SK hynix و H5AN8G6NCJR-xxC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NDJR | H5AN8G6NCJR-xxC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| معدل البيانات | 3200 Mbps (DDR4-3200) | 2666 Mbps (VKC speed grade) |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (13mm x 7.5mm) | 96-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Maximum Supply Voltage (Vsup) | 1.26 V | — |
| Maximum Operating Temperature | 85 °C | — |
| Burst Length | 8 (BL8), 4 (BC4) | 8, 4 (with burst chop) |
| زمن الوصول CAS | 22 cycles (at 3200 Mbps) | — |
| Access Mode | Multi Bank Page Burst | — |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| الميزات | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, dynamic ODT, ZQ calibration, CRC, write leveling | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Supply | — | 2.5 V |
| Operating Temperature (TC) | — | 0°C to 95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Supported |
| Self-Refresh | — | Temperature-compensated (TCSR) |
| Lead-Free | — | Yes |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |