H5ANAG4NBJR-UHC vs H5ANAG4NBJR-VKC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG4NBJR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG4NBJR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG4NBJR-UHC | H5ANAG4NBJR-VKC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | DRAM | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | — |
| Density | 4 Gbit | 16 Gb |
| التنظيم | 256M x16 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) | — |
| Clock / Data Rate | 1.6 GHz | — |
| العلبة | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +95C | — |
| الواجهة | CMOS, DDR4 (double data rate) | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| On-Die Termination (ODT) | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per distributor listing) |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] | — |
| Product Type | — | DDR4 SDRAM |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40 C to +95 C (case, industrial with auto self-refresh) |
| Speed Grade | — | VKC (commercial speed bin - see SK hynix part number decoder) |
| معدل البيانات | — | [DATA_NEEDED: data rate (MT/s) for -VKC bin] |
| VDD Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| VDDQ Supply Voltage | — | [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage] |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| CRC / CA Parity | — | Yes |
| Lead-Free | — | [DATA_NEEDED: lead-free status] |
| خالٍ من الهالوجين | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |