H5ANAG6NCR-UHC vs H5ANAG6NCR-VKC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NCR-UHC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCR-VKC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG6NCR-UHC H5ANAG6NCR-VKC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Mobile LPDDR4 Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gb (2 GB) 16 Gbit
التنظيم 1G x 16 2G x 8
الواجهة CMOS, Double Data Rate IV DDR4 (Double Data Rate 4)
العلبة FBGA-96 (PBGA-96) 96-ball FBGA
Die Revision C —
Speed Grade [DATA_NEEDED: Speed grade / data rate] —
Supply Voltage (VDD) [DATA_NEEDED: VDD voltage] —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation]
Configuration 1 Channel, 1 Rank —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh scheme] —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement]
Factory Packing Quantity [DATA_NEEDED: Standard packing quantity] —
Application Main memory, embedded computing, industrial controllers Main memory (PC / server / embedded)
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
معدل البيانات — [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps]
Banks — 16 banks (4 bank groups x 4)
Burst Length — BL8
Refresh Mode — 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4
Technology — CMOS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر