H5ANAG6NCR-VKC vs H5ANAG6NCR-RDC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG6NCR-VKC بواسطة SK hynix و H5ANAG6NCR-RDC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG6NCR-VKC H5ANAG6NCR-RDC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit —
التنظيم 2G x 8 1G x 16
الواجهة DDR4 (Double Data Rate 4) —
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
معدل البيانات [DATA_NEEDED: verified speed grade in Mbps] 3200 Mbps (PC4-25600 class)
العلبة 96-ball FBGA 96-ball FBGA
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Banks 16 banks (4 bank groups x 4) —
Burst Length BL8 —
Refresh Mode 1x / 2x / 4X per JEDEC DDR4 —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: temperature suffix range confirmation] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Technology CMOS —
Application Main memory (PC / server / embedded) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance statement] [DATA_NEEDED: RoHS Status]
حجم الذاكرة — 16 Gb (2 GB)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Package Body — Rectangular, 8 mm width
Maximum Standby Current — 0.074 A
Number of Terminals (Balls) — 96
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) Function — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Refresh Interval — [DATA_NEEDED: Refresh Interval]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر