H5ANAG8NBJR-VKC vs H5ANAG8NAMR-UHC مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG8NBJR-VKC بواسطة SK hynix و H5ANAG8NAMR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5ANAG8NAMR-UHC H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC - 16Gb DDR4-2400 SDRAM 2Gx8 | SK Hynix

H5ANAG8NAMR-UHC ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5ANAG8NBJR-VKC H5ANAG8NAMR-UHC
العلامة التجارية SK hynix SK hynix
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gbit
التنظيم 2G x 8 2G x 8
Speed Grade DDR4-2666 (2666 Mbps/pin) —
جهد التغذية 1.14 V to 1.26 V (VDDQ) 1.2 V
Clock Frequency 1.6 GHz (internal interface per distributor data) —
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة FBGA-78 FBGA-78
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Standby Current 30 mA (operating, per distributor listing) —
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Asynchronous Reset Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Auto Precharge Yes —
حالة RoHS Compliant, Lead-Free and Halogen-Free Compliant (lead-free FBGA package)
Refresh Interval [DATA_NEEDED: tREFI refresh interval] —
Manufacturer — SK Hynix
معدل البيانات — DDR4-2400 (2400 MT/s)
الواجهة — Parallel, DDR4
Bank Group Architecture — DDR4 bank-group architecture
On-Die Termination (ODT) — Yes
Refresh — Self-refresh and auto-refresh (DDR4)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Applications — Data storage, firmware boot, industrial controllers, computing modules

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر