H5ANAG8NCMR-VKC vs H5ANAG8NCMR-VKI مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5ANAG8NCMR-VKC بواسطة SK hynix و H5ANAG8NCMR-VKI بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | H5ANAG8NCMR-VKC | H5ANAG8NCMR-VKI |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 16 Gb | 16 Gb |
| Memory Organization | 2G x 8 | x8 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 2666 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | [DATA_NEEDED: VDD] |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| العلبة | FBGA-78 | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | [DATA_NEEDED: bank group count] |
| Banks Total | 16 | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature] |
| زمن الوصول CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Technology | — | CMOS, volatile DRAM |
| Package Type | — | [DATA_NEEDED: package] |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh (tREFI) | — | [DATA_NEEDED: refresh interval] |
| Product Status | — | Active |
| Clocking | — | Differential clock (CK / CK#), fully synchronous |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |