H5TC4G63CFR-XXL vs K4B4G1646E-BYMA مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63CFR-xxL بواسطة SK hynix و K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ نشط
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5TC4G63CFR-xxL K4B4G1646E-BYMA
العلامة التجارية SK hynix Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $14.32
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
التنظيم 256M x 16 256M x 16
جهد التغذية 1.35V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
العلبة 96-pin FBGA FBGA-96
معدل البيانات [DATA_NEEDED: data rate] 1866 Mbps/pin
زمن الوصول CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
خالٍ من الهالوجين Yes —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الدبابيس 96 96
الواجهة DDR3L —
Clock Frequency — 933 MHz
درجة حرارة التشغيل — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر