IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N04S6L025ATMA1 بواسطة Infineon و IPG20N04S4L08ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC100N04S6L025ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 6 40V trench MOSFET —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 62 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N04S4L08ATMA1
FET Type — 2 N-Channel (Dual)
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C — 20 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A — 8.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 54 W
درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C
العلبة / الحالة — PG-TDSON-8-4 (TDSON-8)
Series — OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Part Status — Active

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر