IAUC100N04S6L025ATMA1 vs IPG20N04S4L08ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUC100N04S6L025ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPG20N04S4L08ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUC100N04S6L025ATMA1 IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L025ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUC100N04S6L025ATMA1 IPG20N04S4L08ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology OptiMOS 6 40V trench MOSFET —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 100 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V 2.5 mOhm —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 62 W —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +175 C —
پیکیج PG-TDSON-8 (SuperSO8 5x6 mm) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
MSL لیول 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow)
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPG20N04S4L08ATMA1
FET Type — 2 N-Channel (Dual)
FET Feature — Logic Level Gate
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 40 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25°C — 20 A
On-Resistance Rds(on) max @ Vgs=10V, Id=17A — 8.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 54 W
آپریٹنگ درجہ حرارت — -55°C to +175°C
پیکیج / کیس — PG-TDSON-8-4 (TDSON-8)
Series — OptiMOS™-T2, Automotive, AEC-Q101
Avalanche Tested — 100% Avalanche Tested
RoHS / Green — RoHS Compliant, Green Product
Part Status — Active

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں