IAUC100N04S6N022ATMA1 vs IPC100N04S51R7ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC100N04S6N022ATMA1 بواسطة Infineon و IPC100N04S51R7ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC100N04S6N022ATMA1 IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6N022ATMA1 ✓ نشط
Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC100N04S6N022ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 6, N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 100 A —
Power Dissipation (P_D, Tc) 75 W —
R_DS(on) (typ at V_GS=10V) 2.2 mOhm —
العلبة PG-TDSON-8 (5x6 mm) leadless PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C (junction) —
Polarity N-Channel enhancement mode —
Automotive Qualification AEC-Q100 (IAUC family) —
عدد الأطراف 8 —
Gate Threshold V_GS(th) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge Q_g [DATA_NEEDED: total gate charge] —
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL1 (260 °C peak reflow)
حالة RoHS Compliant Compliant (Green Product)
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS-5
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage VDS — 40 V
Continuous Drain Current ID — 100 A (at TC)
Pulsed Drain Current IDM — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-Source Voltage VGS — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
On-Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation PD — 115 W (at TC)
Thermal Resistance RthJC — 1.3 K/W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C
AEC-Q101 Qualified — Yes
Avalanche Tested — 100% tested
Built-in Body Diode — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر