IAUC120N04S6L005ATMA1 vs IAUCN04S7L019ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC120N04S6L005ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L019ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUCN04S7L019ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUC120N04S6L005ATMA1 —
Technology OptiMOS 6, N-Channel Trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 120 A (Tj) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 187 W —
RDS(on) max at VGS=10 V 0.55 mΩ at 60 A —
RDS(on) max at VGS=4.5 V 0.85 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Total Gate Charge (Qg) 177 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 11.203 nF at 25 V —
Output Capacitance (Coss) 2.982 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 175 pF —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-53 (5x6 mm) PG-TDSON-8-33
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
حالة RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS™ 7
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) — 40 V
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) — 120 A
R<sub>DS(on)</sub> Max @ V<sub>GS</sub>=10V — 1.91 mΩ
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/max value]
Gate Charge (Q<sub>g</sub>) — [DATA_NEEDED: Qg total/nominal value]
درجة حرارة التشغيل — -55°C to +175°C (junction)
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) — [DATA_NEEDED: Pd max at 25C]
المقاومة الحرارية، من الوصلة إلى المحيط — [DATA_NEEDED: RthJA value]
مستوى MSL — 1
Packaging — Tape & Reel (13-inch reel)
Standard Pack Quantity — 5000 pieces
Ordering Code Suffix — ATMA1 (Tape & Reel 13")

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر