IAUC120N04S6N009ATMA1 vs IAUCN04S7L042GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC120N04S6N009ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L042GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC120N04S6N009ATMA1 IAUCN04S7L042GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 40V —
Polarity / Channel Type N-Channel N-Channel enhancement mode
Drain-Source Voltage (V_DSS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 120 A —
تيار التصريف النبضي [DATA_NEEDED: pulsed I_D value] —
R_DS(on) max @ V_GS=10V 0.9 mΩ —
Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] —
Total Gate Charge Q_g typ [DATA_NEEDED: Q_g typical] —
Power Dissipation (Tc) 150 W —
Thermal Resistance R_thJC max 1.0 K/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-THSOG-4 (SSO4G 5x6) leaded surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (IMS substrate / FR4 with thermal vias)
Automotive Qualification AEC-Q101 —
مستوى MSL 1 1
RoHS Compliant —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per Infineon product page) —
Product Family — OptiMOS 7 40V
Technology — Trench N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tj) — 77 A
Maximum Power Dissipation (PD, Tc) — 50 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (Tj)
Automotive Qualified — Yes (Automotive grade, AEC-Q101 expected for Infineon OptiMOS 7 automotive parts)
حالة RoHS — Compliant
Packing — Tape & Reel (per -ATMA1 suffix)
Target Substrate — IMS substrate and legacy FR4 designs
On-State Resistance RDS(on) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max @ VGS=10V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Total Gate Charge Qg — [DATA_NEEDED: Qg @ VGS=10V]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر