IAUC120N06S5L015ATMA1 vs IAUC120N06S5N032ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC120N06S5L015ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N06S5N032ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 - 60V 1.5mΩ OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IAUC120N06S5L015ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUC120N06S5L015ATMA1 | IAUC120N06S5N032ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | N-Channel MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS-5 N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | 235 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max (VGS=10 V) | 1.5 mΩ | — |
| Gate Charge (Qg, typ) | 88 nC | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25C) | 167 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (Tj) | -55C to +175C (Tj) |
| العلبة | PG-TDSON-8-43 (Surface Mount) | PG-TDSON-8-34 (SSO8 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount (exposed pad) | Surface Mount (Tape and Reel) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source On-State Resistance Test Conditions | VGS = 10 V, ID = 50 A | — |
| Typical Application | Automotive DC-DC, battery switches, motor drives | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 94 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.2 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 47 nC |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th)] |
| عدد الأطراف | — | 8 |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | — | [DATA_NEEDED: Qrr] |
| Gate Resistance (Rg) | — | [DATA_NEEDED: Rg] |
| Lead-Free | — | Yes |