IAUC41N06S5L100ATMA1 vs BSP316PH6327XTSA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC41N06S5L100ATMA1 بواسطة Infineon و BSP316PH6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC41N06S5L100ATMA1 IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 - 60V 41A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L100ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC41N06S5L100ATMA1 BSP316PH6327XTSA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 5 (Trench MOSFET) SIPMOS (P-channel MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Tj) 41 A —
Power Dissipation (PD, TC) 42 W —
On-State Resistance (RDS(on)) max 10 mOhm at VGS=10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) [DATA_NEEDED: max VGS rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C -55 C to +150 C (junction)
العلبة PG-TDSON-8-33 (TDSON-8, 5x6 mm) PG-SOT223-4 (TO-261-4)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101 automotive grade) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Interconnect Copper clip (low-inductance) —
FET Type — P-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — -680 mA
Total Power Dissipation (Ptot) at TA=25C — 1.8 W
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-10V]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
عدد الدبابيس — 3 + thermal tab
Channel Mode — Enhancement
Packaging — Tape & Reel (H6327 suffix)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر