IAUC60N04S6L030HATMA1 vs BSC076N04NDATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC60N04S6L030HATMA1 بواسطة Infineon و BSC076N04NDATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUC60N04S6L030HATMA1 | BSC076N04NDATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Series | OptiMOS 6 | — |
| Configuration | Half-Bridge (2 N-Channel) | Dual N-Channel (independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | 60 A | — |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | 3.0 mOhm (typical) | — |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | 35 nC | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2.128 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 596 pF | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | 4 V (max, typical) |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | 75 W | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +175 C | -55 C to +175 C |
| العلبة | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 (per part number suffix) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Series | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A (Tc) |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 7.6 mOhm |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.3 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 65 W |
| Technology | — | Trench MOSFET (OptiMOS 3) |
| Qgd/Qgs Ratio | — | < 0.8 (high shot-through immunity) |
| العلبة / الحالة | — | PG-TDSON-8-4 (SuperSO8, 5x6 mm) |
| RoHS / Pb-Free | — | Compliant (Pb-free plating) |
| FET Type | — | 2x N-Channel MOSFET array |