IAUC60N04S6N044ATMA1 vs IAUC100N04S6L020ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC60N04S6N044ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC100N04S6L020ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC100N04S6L020ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 - 40V 100A 2mΩ OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L020ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC60N04S6N044ATMA1 IAUC100N04S6L020ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS-6 N-channel trench MOSFET OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Gate-Source Voltage (V_GS) [DATA_NEEDED: max V_GS rating] —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25°C 60 A —
Continuous Drain Current (I_D) at Tc=100°C [DATA_NEEDED: pulsed/current derated value] —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=10V 4.4 mΩ —
On-Resistance R_DS(on) max @ V_GS=4.5V [DATA_NEEDED: R_DS(on) at V_GS=4.5V] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: typical gate charge] —
Power Dissipation (P_D) at Tc=25°C 42 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
العلبة PG-TDSON-8 (5x6 mm) with exposed pad PG-TDSON-8 (SS08, 5x6 mm leadless)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified (IAUC prefix) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free / Halogen-Free Yes / [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage V(BR)DSS — 40 V
Continuous Drain Current (Tc) — 100 A
Power Dissipation (Tc) — 75 W
RDS(on) Maximum @ VGS=10V, ID=50A — 2.04 mΩ
RDS(on) Typical — 2.0 mΩ
Gate-Source Voltage VGS (max) — ±20 V
Gate Threshold Voltage VGS(th) Typical — 2.0 V
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C (TJ)
Qualification — Automotive grade
Packaging — Tape & Reel (TMA1)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر