IAUC64N08S5L075ATMA1 vs IAUZ20N08S5L300ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC64N08S5L075ATMA1 بواسطة Infineon و IAUZ20N08S5L300ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUZ20N08S5L300ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 - 80V 20A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ20N08S5L300ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC64N08S5L075ATMA1 IAUZ20N08S5L300ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUC64N08S5L075ATMA1 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 5 Trench MOSFET (OptiMOS-5)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 64 A (TJ-limited) —
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V 7.5 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] 10.5 nC @ 10 V
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 75 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C -55°C to +175°C
العلبة PG-TDSON-8-33 (5x6 mm) PG-TSDSON-8-32 (S3O8) 3.3 x 3.3 mm
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
RoHS Compliance Compliant —
مستوى MSL MSL1 (per JEDEC J-STD-020) —
عدد الدبابيس 8 —
Product Family — OptiMOS-5
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Continuous Drain Current (Id) — 20 A (Tc)
Power Dissipation (Pd) — 30 W (Tc)
On-State Resistance (Rds(on)) — 30 mΩ @ 10 A, 10 V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — ±20 V (max Vgs rating)
Input Capacitance (Ciss) — 599 pF @ 40 V
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر