IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7L005ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7L050HATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7L005ATMA1 IAUCN04S7L050HATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 430 A (Tj) —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] —
On-Resistance R_DS(on) max 0.52 mΩ —
Power Dissipation (P_D) 179 W (T_C) —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] —
Total Gate Charge (Q_g) [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +175°C (Tj) —
العلبة PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
عدد الأطراف 8 —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 (family-level, automotive grade)
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — OptiMOS™ 7
Configuration — Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C — 65 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 5.04 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C — 40 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +175 °C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر