IAUCN04S7L005ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN04S7L005ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7L050HATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN04S7L005ATMA1 - 40V 430A 0.52mΩ OptiMOS 7 MOSFET | Infineon
IAUCN04S7L005ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN04S7L005ATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS 7 (trench N-channel MOSFET) | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) | 430 A (Tj) | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=100°C) | [DATA_NEEDED: I_D at T_C=100°C] | — |
| On-Resistance R_DS(on) max | 0.52 mΩ | — |
| Power Dissipation (P_D) | 179 W (T_C) | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max] | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: total Q_g in nC] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (Tj) | — |
| पैकेज | PG-TDSON-8-43 (TDSON-8) | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 8 | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Configuration | — | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +175 °C |