IAUCN04S7N006TATMA1 vs IAUCN04S7N019GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7N006TATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N019GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 - 40V OptiMOS 7 N-FET, 1.95 mOhm SSO4G | Infineon
IAUCN04S7N019GATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN04S7N006TATMA1 | IAUCN04S7N019GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_j) | 425 A | — |
| Power Dissipation (P_D, T_C) | 205 W | — |
| R_DS(on) (typ, V_GS=10V) | 0.63 mΩ | — |
| Technology | OptiMOS 7 (shielded-gate trench) | — |
| العلبة | PG-LHDSO-10-3 (10-LSOP, 5.30 mm width, exposed pad) | PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: Tj min/max] | [DATA_NEEDED: junction temperature range from datasheet] |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Q_G) | [DATA_NEEDED: Q_G at V_GS=10V] | — |
| Automotive Grade | Yes (Infineon automotive MOSFET line) | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tj) | — | 147 A |
| On-Resistance RDS(on) typical | — | 1.95 mOhm |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 81 W |
| Substrate Compatibility | — | IMS substrates and legacy PCB |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per family datasheet) |
| Tape and Reel Packaging | — | Yes (per ATMA1 suffix) |