IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN08S7N024TATMA1 بواسطة Infineon و IAUC60N04S6L030HATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN08S7N024TATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
FET Type N-Channel —
Technology MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) —
Drain-Source Voltage (Vds) 80 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 165 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 157 W —
Rds(on) Max at Vgs=10V 2.44 mOhm —
العلبة / الحالة PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Cooling Top-side cooled —
نطاق درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per part number suffix)
حالة RoHS Compliant Compliant
Gate Threshold (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss typ] —
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 C to +175 C
العلبة — PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر