IAUCN08S7N024TATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN08S7N024TATMA1 द्वारा Infineon और IAUC60N04S6L030HATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN08S7N024TATMA1 - 80V 2.44mΩ OptiMOS 7 Auto MOSFET | Infineon
IAUCN08S7N024TATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN08S7N024TATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide Semiconductor) | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 165 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 157 W | — |
| Rds(on) Max at Vgs=10V | 2.44 mOhm | — |
| पैकेज / केस | PG-LHDSO-10-1 (SSO10T, 5x7 mm²) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Top-side cooled | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Gate Threshold (Vgs(th)) | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Input Capacitance (Ciss) | [DATA_NEEDED: Ciss typ] | — |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |