IAUCN08S7N034ATMA1 vs IAUCN08S7N024ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN08S7N034ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN08S7N024ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN08S7N034ATMA1 IAUCN08S7N024ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™ 7 Automotive OptiMOS 7 (80 V)
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 80 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, T<sub>C</sub>=25°C) 120 A —
R<sub>DS(on)</sub> max @ V<sub>GS</sub>=10 V 3.4 mΩ —
Gate-Source Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) 3.2 V (typ) —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) 45.8 nC @ V<sub>GS</sub>=10 V —
Input Capacitance (C<sub>iss</sub>) 1.27 nF —
Output Capacitance (C<sub>oss</sub>) 3.115 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C<sub>rss</sub>) 23 pF —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>) 118 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
العلبة PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) PG-TDSON-8-34 (8-pin, exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL 1 (unlimited floor life) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101
حالة RoHS Compliant —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 165 A
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 2.4 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Technology — OptiMOS 7 trench
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (typical automotive)
تبديد القدرة (Ptot) — [DATA_NEEDED: Ptot @ TC=25C]
RoHS Compliance — Compliant
Typical Application — 48 V automotive DC-DC, motor drive, load switch

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر