IAUT300N08S5N011ATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUT300N08S5N011ATMA1 بواسطة Infineon و ISC0703NLSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUT300N08S5N011ATMA1 IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 - 80V N-Ch 1.1mOhm Automotive MOSFET

IAUT300N08S5N011ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUT300N08S5N011ATMA1 ISC0703NLSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 (trench MOSFET) Trench MOSFET (OptiMOS family)
Drain-Source Voltage (V_DS) 80 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) 300 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) 410 A (Tj) —
R_DS(on) max 1.10 mOhm at V_GS=10 V —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) 3.8 V —
Total Gate Charge (Q_g) 231 nC at V_GS=10 V —
Input Capacitance (C_iss) 16.25 nF —
Output Capacitance (C_oss) 2.6 nF —
Reverse Transfer Capacitance (C_rss) 130 pF —
Power Dissipation (P_D) 375 W at T_C=25C —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +175C -55C to +150C (junction)
العلبة PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) PG-TDSON-8 (5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
Qualification Automotive (AEC-Q101) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 57 A
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 3 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 44 W
Standard Package Quantity — 5,000 (reel)
حالة RoHS — Compliant
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
On-Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Avalanche Energy (EAS) — [DATA_NEEDED: EAS rating]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر