IAUT300N08S5N011ATMA1 vs ISC0703NLSATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUT300N08S5N011ATMA1 מאת Infineon ו ISC0703NLSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IAUT300N08S5N011ATMA1 | ISC0703NLSATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | Trench MOSFET (OptiMOS family) |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | 300 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | 410 A (Tj) | — |
| R_DS(on) max | 1.10 mOhm at V_GS=10 V | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.8 V | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 231 nC at V_GS=10 V | — |
| Input Capacitance (C_iss) | 16.25 nF | — |
| Output Capacitance (C_oss) | 2.6 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (C_rss) | 130 pF | — |
| Power Dissipation (P_D) | 375 W at T_C=25C | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55C to +175C | -55C to +150C (junction) |
| מארז | PG-HSOF-8-1 (TOLL 10x12 mm) | PG-TDSON-8 (5x6 mm) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Qualification | Automotive (AEC-Q101) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 13 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 57 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 3 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 44 W |
| Standard Package Quantity | — | 5,000 (reel) |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical] |
| Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: EAS rating] |