IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZ40N08S5N100ATMA1 بواسطة Infineon و IAUZ40N10S5N130ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 - 100V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon
IAUZ40N10S5N130ATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IAUZ40N08S5N100ATMA1 | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | OptiMOS 5 (super-junction trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 40 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 68 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge Qg typ | 24.2 nC @ VGS=10 V | — |
| Input Capacitance Ciss | 1591 pF @ VDS=40 V | — |
| Gate-Source Voltage VGS max | ±20 V | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C (TJ) | -55°C to +175°C (TJ) |
| العلبة | PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm | PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IAUZ40N10S5N130ATMA1 |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | — | 40 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 160 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | — | 13 mΩ |
| RDS(on) typical | — | 10 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (Tc) | — | 68 W |
| Lead-Free / RoHS | — | ROHS3 Compliant |