IAUZ40N08S5N100ATMA1 vs IAUZ40N10S5N130ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZ40N08S5N100ATMA1 tarafından Infineon ve IAUZ40N10S5N130ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 - 80V 40A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUZ40N08S5N100ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZ40N08S5N100ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS-5 N-Channel MOSFET OptiMOS 5 (super-junction trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 40 A —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 68 W —
On-Resistance RDS(on) max 10 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge Qg typ 24.2 nC @ VGS=10 V —
Input Capacitance Ciss 1591 pF @ VDS=40 V —
Gate-Source Voltage VGS max ±20 V —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C (TJ) -55°C to +175°C (TJ)
Paket PG-TDSON-8 (S3O8) 3.3 × 3.3 mm PG-TSDSON-8-33 (S3O8), 3.3 × 3.3 mm
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS Durumu Compliant —
Channel Type N-Channel —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IAUZ40N10S5N130ATMA1
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C — 40 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 160 A
RDS(on) max at VGS=10V — 13 mΩ
RDS(on) typical — 10 mΩ
Maximum Power Dissipation (Tc) — 68 W
Lead-Free / RoHS — ROHS3 Compliant

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin