IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZN04S7L030ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC120N04S6L012ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUZN04S7L030ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 3.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55C to +175C —
Technology Family OptiMOS-7 —
Channel Type N-Channel —
العلبة PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40V
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — 1.2 mΩ (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Power Dissipation (PD) at TC — 115 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C (junction)
حالة RoHS — Compliant
Delivery Form — Tape & Reel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر