IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUC120N04S6L012ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUZN04S7L030ATMA1 tarafından Infineon ve IAUC120N04S6L012ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC120N04S6L012ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 - 40V 120A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC120N04S6L012ATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUZN04S7L030ATMA1 IAUC120N04S6L012ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V 40 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 3.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] [DATA_NEEDED: Qg at 20V VGS]
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55C to +175C —
Technology Family OptiMOS-7 —
Channel Type N-Channel —
Paket PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² PG-TDSON-8 (TDSON-8, surface mount with exposed pad)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance Compliant —
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — OptiMOS 6 40V
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) at TC — 120 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 480 A
On-State Resistance (RDS(on)) at 10V VGS — 1.2 mΩ (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Power Dissipation (PD) at TC — 115 W
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55 °C to +175 °C (junction)
RoHS Durumu — Compliant
Delivery Form — Tape & Reel

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin