IAUZN04S7L030ATMA1 vs IAUC60N04S6N031HATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUZN04S7L030ATMA1 بواسطة Infineon و IAUC60N04S6N031HATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUC60N04S6N031HATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 - 40V 60A Half-Bridge MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6N031HATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUZN04S7L030ATMA1 IAUC60N04S6N031HATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 60 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tj) 100 A —
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V max) 3.05 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typical] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 58 W —
Operating Junction Temperature (Tj) -55C to +175C —
Technology Family OptiMOS-7 —
Channel Type N-Channel —
العلبة PG-TSDSON-8-44 (S3O8) 3x3 mm² PG-TDSON-8-56 (5 mm x 6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 (Automotive OptiMOS) AEC-Q101
RoHS Compliance Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — IAUC (Integrated Automotive Half-Bridge)
Process Technology — OptiMOS 6 40V
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel MOSFETs)
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, Tj) — 60 A
Power Dissipation (P_D, Tc=25C) — 75 W
R_DS(on) at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55 °C to +175 °C (Tj)
عدد الأطراف — 8
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر