IPB020N10N5LFATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB020N10N5LFATMA1 بواسطة Infineon و BSC023N08NS5SCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 - 100V 176A 2mΩ OptiMOS 5 Linear FET | Infineon
IPB020N10N5LFATMA1 ✓ نشطInfineon
BSC023N08NS5SCATMA1 - 80V, 2.3mΩ OptiMOS 5 Power MOSFET | Infineon
BSC023N08NS5SCATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IPB020N10N5LFATMA1 | BSC023N08NS5SCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 Linear FET | — |
| Technology | N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 176 A | — |
| Silicon-Limited Drain Current | 289 A | — |
| Package-Limited Drain Current | 120 A | — |
| Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) | 10.2 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ | — |
| Total Power Dissipation (Tc) | 313 W | — |
| العلبة | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +175 °C | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 2.5 V | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 | — |
| Marking Code | 020N10LF | — |
| Part Number | — | BSC023N08NS5SCATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 202 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 188 W |
| On-State Resistance RDS(on) typ. | — | 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. | — | 3.8 V |
| Total Gate Charge Qg | — | 98 nC at VGS=10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 6.8 nF |
| Output Capacitance Coss | — | 74 pF |
| Thermal Resistance RthJC | — | 0.72 K/W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +175 °C |