IPB020N10N5LFATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB020N10N5LFATMA1 tarafından Infineon ve BSC023N08NS5SCATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPB020N10N5LFATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Linear FET —
Technology N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (Tc) 176 A —
Silicon-Limited Drain Current 289 A —
Package-Limited Drain Current 120 A —
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) 10.2 A —
On-State Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ —
Total Power Dissipation (Tc) 313 W —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 —
Marking Code 020N10LF —
Part Number — BSC023N08NS5SCATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 °C to +175 °C

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin