IPB020N10N5LFATMA1 vs BSC023N08NS5SCATMA1 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil IPB020N10N5LFATMA1 dari Infineon dan BSC023N08NS5SCATMA1 dari Infineon. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum IPB020N10N5LFATMA1 BSC023N08NS5SCATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 Linear FET —
Technology N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) max 100 V —
Continuous Drain Current (Tc) 176 A —
Silicon-Limited Drain Current 289 A —
Package-Limited Drain Current 120 A —
Pulsed Drain Current (VDS=56V, tp=10ms) 10.2 A —
On-State Resistance RDS(on) max 2.0 mΩ —
Total Power Dissipation (Tc) 313 W —
Paket PG-TO263-3 (D2PAK) PG-WSON-8-2 (SuperSO8 DSC)
Tipe Mounting Surface Mount Surface Mount
Rentang Suhu Kerja -55 °C to +175 °C —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 2.5 V —
Status RoHS Compliant Compliant
Level MSL 1 —
Marking Code 020N10LF —
Part Number — BSC023N08NS5SCATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 202 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 188 W
On-State Resistance RDS(on) typ. — 2.3 mΩ at VGS=10 V, ID=50 A
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ. — 3.8 V
Total Gate Charge Qg — 98 nC at VGS=10 V
Input Capacitance Ciss — 6.8 nF
Output Capacitance Coss — 74 pF
Thermal Resistance RthJC — 0.72 K/W
Suhu Hubung Kerja — -55 °C to +175 °C

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon