IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB039N10N3GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB60R040CFD7ATMA1 بواسطة Infineon و IPB039N10N3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB60R040CFD7ATMA1 IPB039N10N3GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
حالة المخزون In Stock —
سعر الوحدة (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
تبديد القدرة (TC=25°C) 227 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55°C to +150°C -55C to +175C
العلبة PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
مستوى MSL 1 1
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 160 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 214 W
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 3.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd typ]
RoHS / Halogen-Free Status — RoHS compliant, halogen-free
Series / Family — OptiMOS 3

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر