IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPB039N10N3GATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB60R040CFD7ATMA1 توسط Infineon و IPB039N10N3GATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB60R040CFD7ATMA1 IPB039N10N3GATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی In Stock —
قیمت واحد (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies —
Product Family CoolMOS CFD7 —
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
اتلاف توان (TC=25°C) 227 W —
محدوده دمای کاری -55°C to +150°C -55C to +175C
بسته‌بندی PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO263-7 (D2PAK-7, 6 leads + tab)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
سطح MSL 1 1
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 160 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 214 W
On-State Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) — 3.9 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typ]
Gate-Drain Charge (Qgd) — [DATA_NEEDED: Qgd typ]
RoHS / Halogen-Free Status — RoHS compliant, halogen-free
Series / Family — OptiMOS 3

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت