IPB70N10S3L12ATMA1 vs BSC0902NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB70N10S3L12ATMA1 بواسطة Infineon و BSC0902NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB70N10S3L12ATMA1 BSC0902NSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS (IPB70N10) —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET, Enhancement Mode N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 70 A —
Peak Drain Current (IDM) 180 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 11.8 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 125 W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة / الحالة PG-TO263-3-2 (D2PAK, 2 Leads + Tab) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 Qualified —
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
RoHS / Green RoHS Compliant, Green Product —
Avalanche Tested 100 % Avalanche Tested —
خالٍ من الهالوجين Yes Yes, per IEC 61249-2-21
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 24 A
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) — 100 A
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 48 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
RDS(on) @ VGS=10V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V]
RDS(on) @ VGS=4.5V max — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg typ) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (Tj)
العلبة — PG-TDSON-8-6 (SuperSO8)
Qualification — JEDEC qualified for target applications
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free lead plating)
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر