IPC100N04S51R7ATMA1 vs IPD053N06NATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPC100N04S51R7ATMA1 بواسطة Infineon و IPD053N06NATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IPC100N04S51R7ATMA1 IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-5 N-FET | Infineon

IPC100N04S51R7ATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IPC100N04S51R7ATMA1 IPD053N06NATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS-5 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET, Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage VDS 40 V —
Continuous Drain Current ID 100 A (at TC) —
Pulsed Drain Current IDM [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage VGS [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] —
On-Resistance RDS(on) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10V] —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation PD 115 W (at TC) —
Thermal Resistance RthJC 1.3 K/W —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
العلبة PG-TDSON-8-34 (SS08 leadless) PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL MSL1 (260 °C peak reflow) —
AEC-Q101 Qualified Yes —
Avalanche Tested 100% tested —
حالة RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Built-in Body Diode Yes —
Product Series — OptiMOS 5 60V
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 45 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 18 A
On-State Resistance (RDS(on), max) — 5.3 mOhm @ VGS=10V
Power Dissipation (Tc) — 83 W
Power Dissipation (Ta) — 3 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet]
Technology — OptiMOS 5 trench MOSFET

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر