IPD60R380C6ATMA1 vs IPD60R385CPATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD60R380C6ATMA1 بواسطة Infineon و IPD60R385CPATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPD60R380C6ATMA1 IPD60R385CPATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 10.6 A —
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 380 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: gate-source voltage max] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 83 W —
Operating Junction Temperature (TJ) -55C to +150C —
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Technology CoolMOS C6 Superjunction —
FET Type N-Channel N-Channel
العلبة PG-TO252-3 (DPAK) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
حالة RoHS Compliant Compliant
Drain-Tab Connection Exposed pad (electrically connected to drain) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — CoolMOS™ CP (5th generation)
Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) — 600 V
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 385 mΩ (typ, VGS = 10 V)
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 9 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 27 A
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 83 W
Gate Charge (Qg) — 18 nC (typ)
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +150 °C
العلبة / الحالة — PG-TO252-3 (DPAK)
عدد الأطراف — 3 (Gate, Drain, Source; tab = Drain)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر