IPD65R225C7ATMA1 vs IPD65R380E6ATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPD65R225C7ATMA1 بواسطة Infineon و IPD65R380E6ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IPD65R225C7ATMA1 | IPD65R380E6ATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C7 | CoolMOS™ E6 |
| نوع الترانزستور | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Super-junction (SJ) / CoolMOS | Superjunction (CoolMOS™) |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 11 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 63 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 225 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V (max) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C | -55 °C to +150 °C |
| العلبة | PG-TO252-3 (DPAK) | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 3 (2 + tab) | — |
| مستوى MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy Rated | Yes (per datasheet) | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | — | 10.6 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 380 mΩ |
| R_DS(on) test conditions | — | 3.2 A, 10 V |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 3.5 V typ |
| Gate Charge (Q_G) | — | 39 nC at 10 V |
| Input Capacitance (C_iss) | — | 710 pF at 100 V |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | — | 83 W |